HSTD20NF10T4
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HSTD20NF10T4
这款N沟道MOSFET具有卓越的电气特性， 最大连续漏极电流ID为30A， 能够处理较高的电流负载； 其漏源电压VDSS达到100V， 适用于需要承受一定电压水平的应用环境； 导通电阻RDSON仅为35mΩ， 有助于减少能量损失并提高系统效率； 栅源电压VGS支持20V， 提供了良好的驱动兼容性。 此款场效应管非常适合于消费电子、家用电器等领域的电源控制与转换电路中， 确保了高效且可靠的电力管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
60
货期
现货
HSTD20NF10T4参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
HSTD20NF10T4概述
这款N沟道MOSFET具有卓越的电气特性， 最大连续漏极电流ID为30A， 能够处理较高的电流负载； 其漏源电压VDSS达到100V， 适用于需要承受一定电压水平的应用环境； 导通电阻RDSON仅为35mΩ， 有助于减少能量损失并提高系统效率； 栅源电压VGS支持20V， 提供了良好的驱动兼容性。 此款场效应管非常适合于消费电子、家用电器等领域的电源控制与转换电路中， 确保了高效且可靠的电力管理。
HSTD20NF10T4特性
暂无产品特性。
HSTD20NF10T4应用领域
暂无应用领域。