HSTD20NF06LAG
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HSTD20NF06LAG
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大排水电流（ID）， 并在60V的漏源耐压（VDSS）下稳定运行。 其低至27mΩ的导通电阻（RDSON）在20V的栅源电压（VGS）下提供了优异的电流处理能力。 这些特性使得该MOSFET适用于消费电子产品中的高效直流转换器、便携式充电设备以及其他要求高效能、低能耗的电路设计中， 确保了在日常使用环境下的可靠性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
60
货期
现货
HSTD20NF06LAG参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
HSTD20NF06LAG概述
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大排水电流（ID）， 并在60V的漏源耐压（VDSS）下稳定运行。 其低至27mΩ的导通电阻（RDSON）在20V的栅源电压（VGS）下提供了优异的电流处理能力。 这些特性使得该MOSFET适用于消费电子产品中的高效直流转换器、便携式充电设备以及其他要求高效能、低能耗的电路设计中， 确保了在日常使用环境下的可靠性能。
HSTD20NF06LAG特性
暂无产品特性。
HSTD20NF06LAG应用领域
暂无应用领域。