HSTD10P6F6
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HSTD10P6F6
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有10A的连续排水电流（ID）， 并能承受高达60V的漏源电压（VDSS）。 其导通电阻（RDSON）为125毫欧， 在20V的栅源电压（VGS）条件下工作。 该MOSFET适用于消费电子产品的电源路径控制， 例如在电池供电设备中作为开关或在数字设备中用于电压调节， 其稳定的性能有助于保障设备的可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
100
货期
现货
HSTD10P6F6参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HSTD10P6F6概述
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有10A的连续排水电流（ID）， 并能承受高达60V的漏源电压（VDSS）。 其导通电阻（RDSON）为125毫欧， 在20V的栅源电压（VGS）条件下工作。 该MOSFET适用于消费电子产品的电源路径控制， 例如在电池供电设备中作为开关或在数字设备中用于电压调节， 其稳定的性能有助于保障设备的可靠运行。
HSTD10P6F6特性
暂无产品特性。
HSTD10P6F6应用领域
暂无应用领域。