HSTB55NF06LT4
IC
TO-263(D2PAK)
可供量大可议
HSTB55NF06LT4
这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A）， 其最大漏源电压（VDSS）为55V， 导通电阻（RDSON）低至9毫欧， 在高功率密度设计中表现出色。 器件支持最大±20V的栅源电压（VGS）， 确保了良好的控制特性。 其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择， 能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263(D2PAK)
库存
7
货期
现货
HSTB55NF06LT4参数
| 封装 | TO-263(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
HSTB55NF06LT4概述
这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A）， 其最大漏源电压（VDSS）为55V， 导通电阻（RDSON）低至9毫欧， 在高功率密度设计中表现出色。 器件支持最大±20V的栅源电压（VGS）， 确保了良好的控制特性。 其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择， 能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。
HSTB55NF06LT4特性
暂无产品特性。
HSTB55NF06LT4应用领域
暂无应用领域。