HSSM3K335RLF

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续电流能力， 能够承受最高30V的漏源电压（VDSS）。 其导通电阻（RDSON）为28毫欧， 在导通状态下可以有效地降低功耗， 减少能量损失。 栅源电压（VGS）的最大值为12V， 适合用于各种需要精确控制电流的场合。 该MOSFET适用于消费电子领域， 例如在适配器和充电器中的开关应用， 或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。