HSSK2905
IC
SOT-363
可供量大可议
HSSK2905
N沟道和P沟道快速开关MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备超低导通电阻， 适用于负载开关和PWM应用， 具备ESD保护
品牌
HUASHUO
封装
SOT-363
库存
30
货期
现货
HSSK2905参数
| 封装 | SOT-363 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
HSSK2905概述
N沟道和P沟道快速开关MOSFET， 采用先进沟槽技术， 具备超低导通电阻， 适用于负载开关和PWM应用， 具备ESD保护
HSSK2905特性
暂无产品特性。
HSSK2905应用领域
暂无应用领域。