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HSS2N10A
IC

SOT-23

可供量大可议

HSS2N10A

是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 并通过了全功能可靠性认证。 具有绿色器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。

品牌

HUASHUO

封装

SOT-23

库存

40

货期

现货

HSS2N10A参数

封装SOT-23
品牌HUASHUO(华朔)
MOQ / SPQ1 / 20
分类场效应管(MOSFET)
库存40

HSS2N10A概述

是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 并通过了全功能可靠性认证。 具有绿色器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。

HSS2N10A特性

暂无产品特性。

HSS2N10A应用领域

暂无应用领域。

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