HSS2N10A
IC
SOT-23
可供量大可议
HSS2N10A
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 并通过了全功能可靠性认证。 具有绿色器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23
库存
40
货期
现货
HSS2N10A参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HSS2N10A概述
是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 并通过了全功能可靠性认证。 具有绿色器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
HSS2N10A特性
暂无产品特性。
HSS2N10A应用领域
暂无应用领域。
