HSS26HE3AH
IC
SMB
可供量大可议
HSS26HE3AH
这款肖特基二极管具备2安培的正向电流(IF)处理能力, 同时支持最高60伏特的反向电压(VR)。 其正向电压(VF)为0.7伏特, 有效降低了导通损耗。 反向漏电流(IR)则控制在500微安以下, 确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。 该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流(IFSM), 适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中, 如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
190
货期
现货
HSS26HE3AH参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 190 |
HSS26HE3AH概述
这款肖特基二极管具备2安培的正向电流(IF)处理能力, 同时支持最高60伏特的反向电压(VR)。 其正向电压(VF)为0.7伏特, 有效降低了导通损耗。 反向漏电流(IR)则控制在500微安以下, 确保了在待机或非导通状态下的能耗较低。 该二极管还可以承受50安培的瞬时峰值电流(IFSM), 适用于需要快速开关特性和低噪声性能的电子设备中, 如适配器、消费电子产品中的电源管理和数据通信设备的保护等。
HSS26HE3AH特性
暂无产品特性。
HSS26HE3AH应用领域
暂无应用领域。
