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HSS210E352T
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SMB

可供量大可议

HSS210E352T

这款肖特基二极管具有2A的额定电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于需要高效能与稳定性的电路设计中。 其正向电压降(VF)仅为0.85V, 在确保效率的同时减少了功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态大电流处理能力(IFSM)高达50A, 使其能够在短时间内承受电流峰值而不损坏, 适合于要求高可靠性的开关电源及其它消费电子产品中的整流或保护电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

10

货期

现货

HSS210E352T参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存10

HSS210E352T概述

这款肖特基二极管具有2A的额定电流(IF)和100V的最大反向电压(VR), 适用于需要高效能与稳定性的电路设计中。 其正向电压降(VF)仅为0.85V, 在确保效率的同时减少了功耗。 二极管的反向漏电流(IR)在室温下不超过100微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态大电流处理能力(IFSM)高达50A, 使其能够在短时间内承受电流峰值而不损坏, 适合于要求高可靠性的开关电源及其它消费电子产品中的整流或保护电路应用。

HSS210E352T特性

暂无产品特性。

HSS210E352T应用领域

暂无应用领域。

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