HSS1N25
IC
SOT-23L
可供量大可议
HSS1N25
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证具有EAS（具体含义需结合上下文）， 并通过全功能可靠性认证。 超低栅极电荷。 有绿色器件可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23L
库存
175
货期
现货
HSS1N25参数
| 封装 | SOT-23L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
HSS1N25概述
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证具有EAS（具体含义需结合上下文）， 并通过全功能可靠性认证。 超低栅极电荷。 有绿色器件可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
HSS1N25特性
暂无产品特性。
HSS1N25应用领域
暂无应用领域。