HSS1N20
IC
SOT-23L
可供量大可议
HSS1N20
HSS1N20是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSS1N20符合RoHS标准和绿色产品要求， 且经过全面的功能可靠性验证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23L
库存
2,785
货期
现货
HSS1N20参数
| 封装 | SOT-23L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2785 |
HSS1N20概述
HSS1N20是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSS1N20符合RoHS标准和绿色产品要求， 且经过全面的功能可靠性验证。
HSS1N20特性
暂无产品特性。
HSS1N20应用领域
暂无应用领域。