HSQD23N0631LT4GE3
IC
TO-252-2L(TO-252AA)
可供量大可议
HSQD23N0631LT4GE3
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续电流承载能力， 最大可承受的漏源电压（VDSS）为60V。 其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧， 在同类产品中表现出较低的导通损耗特性， 有助于提高电路效率并减少热量产生。 工作栅源电压（VGS）的最大值为20V， 确保了可靠的开关性能。 此MOSFET适用于要求高效能和低热耗的应用环境， 如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及通用型开关电源设计中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(TO-252AA)
库存
10
货期
现货
HSQD23N0631LT4GE3参数
| 封装 | TO-252-2L(TO-252AA) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HSQD23N0631LT4GE3概述
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续电流承载能力， 最大可承受的漏源电压（VDSS）为60V。 其导通电阻（RDSON）仅为27毫欧， 在同类产品中表现出较低的导通损耗特性， 有助于提高电路效率并减少热量产生。 工作栅源电压（VGS）的最大值为20V， 确保了可靠的开关性能。 此MOSFET适用于要求高效能和低热耗的应用环境， 如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及通用型开关电源设计中。
HSQD23N0631LT4GE3特性
暂无产品特性。
HSQD23N0631LT4GE3应用领域
暂无应用领域。