HSQ7415AEN
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
HSQ7415AEN
这款20A额定电流的P沟道MOSFET， 具备60V的漏源极断态电压（VDSS）和55毫欧的导通电阻（RDSON）。 其最大栅源极电压（VGS）为20V， 确保了良好的开关特性和低功耗。 该场效应管适用于各种电子电路中的电源转换、信号调制等应用， 能够实现精准的电流控制和高效的能量转换， 同时保持系统的稳定性和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
244
货期
现货
HSQ7415AEN参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 244 |
HSQ7415AEN概述
这款20A额定电流的P沟道MOSFET， 具备60V的漏源极断态电压（VDSS）和55毫欧的导通电阻（RDSON）。 其最大栅源极电压（VGS）为20V， 确保了良好的开关特性和低功耗。 该场效应管适用于各种电子电路中的电源转换、信号调制等应用， 能够实现精准的电流控制和高效的能量转换， 同时保持系统的稳定性和可靠性。
HSQ7415AEN特性
暂无产品特性。
HSQ7415AEN应用领域
暂无应用领域。