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HSPHV12-01ETG-C
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HSPHV12-01ETG-C

这款单通道方向ESD保护二极管, 电压击穿阈值为12V, 可承受4A峰值静电释放电流, 确保电路在高静电环境下依旧稳定运作。 其紧凑的28皮法电容值设计, 优化了信号完整性, 尤其适合于高速数据线路的静电防护, 有效提升系统可靠性而不牺牲传输性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

920

货期

现货

HSPHV12-01ETG-C参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存920

HSPHV12-01ETG-C概述

这款单通道方向ESD保护二极管, 电压击穿阈值为12V, 可承受4A峰值静电释放电流, 确保电路在高静电环境下依旧稳定运作。 其紧凑的28皮法电容值设计, 优化了信号完整性, 尤其适合于高速数据线路的静电防护, 有效提升系统可靠性而不牺牲传输性能。

HSPHV12-01ETG-C特性

暂无产品特性。

HSPHV12-01ETG-C应用领域

暂无应用领域。

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