HSPHV12-01ETG-C
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HSPHV12-01ETG-C
这款单通道方向ESD保护二极管, 电压击穿阈值为12V, 可承受4A峰值静电释放电流, 确保电路在高静电环境下依旧稳定运作。 其紧凑的28皮法电容值设计, 优化了信号完整性, 尤其适合于高速数据线路的静电防护, 有效提升系统可靠性而不牺牲传输性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
920
货期
现货
HSPHV12-01ETG-C参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 920 |
HSPHV12-01ETG-C概述
这款单通道方向ESD保护二极管, 电压击穿阈值为12V, 可承受4A峰值静电释放电流, 确保电路在高静电环境下依旧稳定运作。 其紧凑的28皮法电容值设计, 优化了信号完整性, 尤其适合于高速数据线路的静电防护, 有效提升系统可靠性而不牺牲传输性能。
HSPHV12-01ETG-C特性
暂无产品特性。
HSPHV12-01ETG-C应用领域
暂无应用领域。
