HSP80P10
IC
TO-220
可供量大可议
HSP80P10
HSP80P10采用先进的沟槽式MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性， 适用于多种其他应用。 HSP80P10符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-220
库存
201
货期
现货
HSP80P10参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 201 |
HSP80P10概述
HSP80P10采用先进的沟槽式MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性， 适用于多种其他应用。 HSP80P10符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证。
HSP80P10特性
暂无产品特性。
HSP80P10应用领域
暂无应用领域。