HSP60N06
IC
TO-220
可供量大可议
HSP60N06
HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP60N06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过正向偏置安全工作区（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-220
库存
96
货期
现货
HSP60N06参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
HSP60N06概述
HSP60N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP60N06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过正向偏置安全工作区（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
HSP60N06特性
暂无产品特性。
HSP60N06应用领域
暂无应用领域。