HSP200N02
IC
TO-220FB-3L
可供量大可议
HSP200N02
HSP200N02是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP200N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩耐量（EAS）测试， 具备全面的可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-220FB-3L
库存
496
货期
现货
HSP200N02参数
| 封装 | TO-220FB-3L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 496 |
HSP200N02概述
HSP200N02是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP200N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩耐量（EAS）测试， 具备全面的可靠性认证。
HSP200N02特性
暂无产品特性。
HSP200N02应用领域
暂无应用领域。