HSP16N25

是高性能沟槽 N 沟道 MOSFET， 具有极高的单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 100% 保证单脉冲雪崩能量 (EAS)， 具备完整功能可靠性认证。 具有超低栅极电荷， 可有效降低 Cdv/dt 效应， 采用先进的高单元密度沟槽技术。