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HSMF30AT13
IC

SOD-123FL

可供量大可议

HSMF30AT13

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高效能瞬态电压抑制(TVS)的应用场景。 其主要参数包括:IPP(峰值脉冲电流)为4.1A, 表示能够承受的瞬时大电流冲击能力; VRWM(工作峰值反向电压)为30V, 表明在正常工作状态下能够承受的最大直流或交流电压值而不会导致击穿。 此款保护器适合于单一线路的保护需求, 可以有效抵御静电放电(ESD)等引起的瞬态过压现象, 确保设备的安全稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

40

货期

现货

HSMF30AT13参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

HSMF30AT13概述

该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高效能瞬态电压抑制(TVS)的应用场景。 其主要参数包括:IPP(峰值脉冲电流)为4.1A, 表示能够承受的瞬时大电流冲击能力; VRWM(工作峰值反向电压)为30V, 表明在正常工作状态下能够承受的最大直流或交流电压值而不会导致击穿。 此款保护器适合于单一线路的保护需求, 可以有效抵御静电放电(ESD)等引起的瞬态过压现象, 确保设备的安全稳定运行。

HSMF30AT13特性

暂无产品特性。

HSMF30AT13应用领域

暂无应用领域。

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