HSMF30AT13
IC
SOD-123FL
可供量大可议
HSMF30AT13
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高效能瞬态电压抑制(TVS)的应用场景。 其主要参数包括:IPP(峰值脉冲电流)为4.1A, 表示能够承受的瞬时大电流冲击能力; VRWM(工作峰值反向电压)为30V, 表明在正常工作状态下能够承受的最大直流或交流电压值而不会导致击穿。 此款保护器适合于单一线路的保护需求, 可以有效抵御静电放电(ESD)等引起的瞬态过压现象, 确保设备的安全稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
40
货期
现货
HSMF30AT13参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HSMF30AT13概述
该静电和浪涌保护器件采用单向设计, 适用于需要高效能瞬态电压抑制(TVS)的应用场景。 其主要参数包括:IPP(峰值脉冲电流)为4.1A, 表示能够承受的瞬时大电流冲击能力; VRWM(工作峰值反向电压)为30V, 表明在正常工作状态下能够承受的最大直流或交流电压值而不会导致击穿。 此款保护器适合于单一线路的保护需求, 可以有效抵御静电放电(ESD)等引起的瞬态过压现象, 确保设备的安全稳定运行。
HSMF30AT13特性
暂无产品特性。
HSMF30AT13应用领域
暂无应用领域。
