HSMCJ36A13F
IC
SMC(DO-214AB)
可供量大可议
HSMCJ36A13F
该静电和浪涌保护器件为单向设计, 适用于需要可靠过电压保护的场合。 其IPP(峰值脉冲电流)高达25.9A, 表明能够承受较大的瞬态电流冲击; VRWM(工作峰值反向电压)设定为36V, 确保在不超过此电压值时正常运作。 适用于单一线路配置, 有效防止ESD及其它类型的瞬态电压事件对电子设备造成的潜在损害, 保障系统稳定性和数据完整性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC(DO-214AB)
库存
255
货期
现货
HSMCJ36A13F参数
| 封装 | SMC(DO-214AB) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 255 |
HSMCJ36A13F概述
该静电和浪涌保护器件为单向设计, 适用于需要可靠过电压保护的场合。 其IPP(峰值脉冲电流)高达25.9A, 表明能够承受较大的瞬态电流冲击; VRWM(工作峰值反向电压)设定为36V, 确保在不超过此电压值时正常运作。 适用于单一线路配置, 有效防止ESD及其它类型的瞬态电压事件对电子设备造成的潜在损害, 保障系统稳定性和数据完整性。
HSMCJ36A13F特性
暂无产品特性。
HSMCJ36A13F应用领域
暂无应用领域。
