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HSMCJ36A13F
IC

SMC(DO-214AB)

可供量大可议

HSMCJ36A13F

该静电和浪涌保护器件为单向设计, 适用于需要可靠过电压保护的场合。 其IPP(峰值脉冲电流)高达25.9A, 表明能够承受较大的瞬态电流冲击; VRWM(工作峰值反向电压)设定为36V, 确保在不超过此电压值时正常运作。 适用于单一线路配置, 有效防止ESD及其它类型的瞬态电压事件对电子设备造成的潜在损害, 保障系统稳定性和数据完整性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC(DO-214AB)

库存

255

货期

现货

HSMCJ36A13F参数

封装SMC(DO-214AB)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存255

HSMCJ36A13F概述

该静电和浪涌保护器件为单向设计, 适用于需要可靠过电压保护的场合。 其IPP(峰值脉冲电流)高达25.9A, 表明能够承受较大的瞬态电流冲击; VRWM(工作峰值反向电压)设定为36V, 确保在不超过此电压值时正常运作。 适用于单一线路配置, 有效防止ESD及其它类型的瞬态电压事件对电子设备造成的潜在损害, 保障系统稳定性和数据完整性。

HSMCJ36A13F特性

暂无产品特性。

HSMCJ36A13F应用领域

暂无应用领域。

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