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HSMC12
IC

SOT-23

可供量大可议

HSMC12

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备10A的峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 能够有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于需要稳定电压环境的电路保护。 结电容(CJ)为35pF, 在保持较低电容值的同时, 有助于维护信号的纯净度和完整性, 适合对信号质量有较高要求的应用场景。 该器件采用2通道设计, 并且是Bi双向类型, 可以处理双向电流流动, 极大地提高了应用灵活性。 它专为防止静电放电和电压瞬变引起的潜在损害而设计, 确保连接设备的安全与稳定运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

530

货期

现货

HSMC12参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存530

HSMC12概述

此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备10A的峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 能够有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于需要稳定电压环境的电路保护。 结电容(CJ)为35pF, 在保持较低电容值的同时, 有助于维护信号的纯净度和完整性, 适合对信号质量有较高要求的应用场景。 该器件采用2通道设计, 并且是Bi双向类型, 可以处理双向电流流动, 极大地提高了应用灵活性。 它专为防止静电放电和电压瞬变引起的潜在损害而设计, 确保连接设备的安全与稳定运行。

HSMC12特性

暂无产品特性。

HSMC12应用领域

暂无应用领域。

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