HSMC12
IC
SOT-23
可供量大可议
HSMC12
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备10A的峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 能够有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于需要稳定电压环境的电路保护。 结电容(CJ)为35pF, 在保持较低电容值的同时, 有助于维护信号的纯净度和完整性, 适合对信号质量有较高要求的应用场景。 该器件采用2通道设计, 并且是Bi双向类型, 可以处理双向电流流动, 极大地提高了应用灵活性。 它专为防止静电放电和电压瞬变引起的潜在损害而设计, 确保连接设备的安全与稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
530
货期
现货
HSMC12参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 530 |
HSMC12概述
此静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备10A的峰值脉冲电流(IPP)承载能力, 能够有效应对瞬时高电流冲击。 其反向工作电压(VRWM)为12V, 适用于需要稳定电压环境的电路保护。 结电容(CJ)为35pF, 在保持较低电容值的同时, 有助于维护信号的纯净度和完整性, 适合对信号质量有较高要求的应用场景。 该器件采用2通道设计, 并且是Bi双向类型, 可以处理双向电流流动, 极大地提高了应用灵活性。 它专为防止静电放电和电压瞬变引起的潜在损害而设计, 确保连接设备的安全与稳定运行。
HSMC12特性
暂无产品特性。
HSMC12应用领域
暂无应用领域。
