HSMBJ40CAE352
IC
SMB(DO-214AA)
可供量大可议
HSMBJ40CAE352
此静电和浪涌保护器件归类于TVS/ESD, 采用双向设计。 其峰值脉冲电流IPP为9.3A, 反向工作电压VRWM设定为40V, 适用于单线配置。 该产品旨在高效吸收由静电放电等引起的瞬态高压脉冲, 从而保护敏感电子组件免受损害。 它非常适合应用于需要可靠过压保护的场合, 如消费电子设备、通讯设备及各类便携式电子产品中, 确保电路在面对突发性电压波动时的安全与稳定。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB(DO-214AA)
库存
275
货期
现货
HSMBJ40CAE352参数
| 封装 | SMB(DO-214AA) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 275 |
HSMBJ40CAE352概述
此静电和浪涌保护器件归类于TVS/ESD, 采用双向设计。 其峰值脉冲电流IPP为9.3A, 反向工作电压VRWM设定为40V, 适用于单线配置。 该产品旨在高效吸收由静电放电等引起的瞬态高压脉冲, 从而保护敏感电子组件免受损害。 它非常适合应用于需要可靠过压保护的场合, 如消费电子设备、通讯设备及各类便携式电子产品中, 确保电路在面对突发性电压波动时的安全与稳定。
HSMBJ40CAE352特性
暂无产品特性。
HSMBJ40CAE352应用领域
暂无应用领域。
