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HSMBJ40CAE352
IC

SMB(DO-214AA)

可供量大可议

HSMBJ40CAE352

此静电和浪涌保护器件归类于TVS/ESD, 采用双向设计。 其峰值脉冲电流IPP为9.3A, 反向工作电压VRWM设定为40V, 适用于单线配置。 该产品旨在高效吸收由静电放电等引起的瞬态高压脉冲, 从而保护敏感电子组件免受损害。 它非常适合应用于需要可靠过压保护的场合, 如消费电子设备、通讯设备及各类便携式电子产品中, 确保电路在面对突发性电压波动时的安全与稳定。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB(DO-214AA)

库存

275

货期

现货

HSMBJ40CAE352参数

封装SMB(DO-214AA)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存275

HSMBJ40CAE352概述

此静电和浪涌保护器件归类于TVS/ESD, 采用双向设计。 其峰值脉冲电流IPP为9.3A, 反向工作电压VRWM设定为40V, 适用于单线配置。 该产品旨在高效吸收由静电放电等引起的瞬态高压脉冲, 从而保护敏感电子组件免受损害。 它非常适合应用于需要可靠过压保护的场合, 如消费电子设备、通讯设备及各类便携式电子产品中, 确保电路在面对突发性电压波动时的安全与稳定。

HSMBJ40CAE352特性

暂无产品特性。

HSMBJ40CAE352应用领域

暂无应用领域。

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