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HSM835JE3/TR13-HXY
IC

SMC

可供量大可议

HSM835JE3/TR13-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流仅为0.1μA, 展现出优异的反向阻断能力。 此类参数特性使其适用于对效率和稳定性要求较高的电源整流、续流保护以及高频开关电路, 常见于适配器、消费类电子设备及各类高效能电源模块中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

99

货期

现货

HSM835JE3/TR13-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存99

HSM835JE3/TR13-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流仅为0.1μA, 展现出优异的反向阻断能力。 此类参数特性使其适用于对效率和稳定性要求较高的电源整流、续流保护以及高频开关电路, 常见于适配器、消费类电子设备及各类高效能电源模块中。

HSM835JE3/TR13-HXY特性

暂无产品特性。

HSM835JE3/TR13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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