HSM6006
IC
SOP-8
可供量大可议
HSM6006
HSM6006是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM6006符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 并通过了全功能可靠性验证。
品牌
HUASHUO
封装
SOP-8
库存
50
货期
现货
HSM6006参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HSM6006概述
HSM6006是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM6006符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 并通过了全功能可靠性验证。
HSM6006特性
暂无产品特性。
HSM6006应用领域
暂无应用领域。