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HSM560JE3/TR13-HXY
IC

SMC

可供量大可议

HSM560JE3/TR13-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

48

货期

现货

HSM560JE3/TR13-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

HSM560JE3/TR13-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。

HSM560JE3/TR13-HXY特性

暂无产品特性。

HSM560JE3/TR13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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