HSM560JE3/TR13-HXY
IC
SMC
可供量大可议
HSM560JE3/TR13-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
48
货期
现货
HSM560JE3/TR13-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
HSM560JE3/TR13-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为5A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
HSM560JE3/TR13-HXY特性
暂无产品特性。
HSM560JE3/TR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
