HSM4P10D
IC
SOP-8
可供量大可议
HSM4P10D
HSM4P10D采用先进的沟槽MOSFET技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 HSM4P10D符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过易感性评估（EAS）测试， 且具备完整功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOP-8
库存
2,585
货期
现货
HSM4P10D参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2585 |
HSM4P10D概述
HSM4P10D采用先进的沟槽MOSFET技术， 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 HSM4P10D符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过易感性评估（EAS）测试， 且具备完整功能可靠性认证。
HSM4P10D特性
暂无产品特性。
HSM4P10D应用领域
暂无应用领域。