HSM4435
IC
SOP-8
可供量大可议
HSM4435
是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的dv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
SOP-8
库存
1,705
货期
现货
HSM4435参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1705 |
HSM4435概述
是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的dv/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
HSM4435特性
暂无产品特性。
HSM4435应用领域
暂无应用领域。