HSM4052
IC
SOP-8
可供量大可议
HSM4052
HSM4052 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4052 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试， 并经过全面的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOP-8
库存
50
货期
现货
HSM4052参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:40V 电流:14A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 690pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 商品型号 | HSM4052 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000147 |
HSM4052概述
HSM4052是高单元密度SGT N沟道MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4052符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）， 并通过了全功能可靠性认证。
HSM4052特性
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度SGT MOS技术
HSM4052应用领域
暂无应用领域。