HSM3100JE3/TR13-HXY
IC
SMC
可供量大可议
HSM3100JE3/TR13-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 在高阻态下保持良好的隔离性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路, 具备稳定的电气特性和可靠的运行表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
98
货期
现货
HSM3100JE3/TR13-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 98 |
HSM3100JE3/TR13-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 在高阻态下保持良好的隔离性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路, 具备稳定的电气特性和可靠的运行表现。
HSM3100JE3/TR13-HXY特性
暂无产品特性。
HSM3100JE3/TR13-HXY应用领域
暂无应用领域。
