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HSM3100JE3/TR13-HXY
IC

SMC

可供量大可议

HSM3100JE3/TR13-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 在高阻态下保持良好的隔离性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路, 具备稳定的电气特性和可靠的运行表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

98

货期

现货

HSM3100JE3/TR13-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存98

HSM3100JE3/TR13-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向电压为100V。 其正向压降典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流仅为20μA, 在高阻态下保持良好的隔离性能。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、电源转换输出端以及对效率和热管理有较高要求的电子电路, 具备稳定的电气特性和可靠的运行表现。

HSM3100JE3/TR13-HXY特性

暂无产品特性。

HSM3100JE3/TR13-HXY应用领域

暂无应用领域。

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