HSM20N02
IC
SOP-8
可供量大可议
HSM20N02
HSM20N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM20N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
HSM20N02参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HSM20N02概述
HSM20N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM20N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 具备完整的可靠性认证。
HSM20N02特性
暂无产品特性。
HSM20N02应用领域
暂无应用领域。