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HSL1N25
IC

SOT-223

可供量大可议

HSL1N25

是高性能沟槽N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%保证EAS, 具备完整的功能可靠性认证。 具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。

品牌

HUASHUO

封装

SOT-223

库存

2,345

货期

现货

HSL1N25参数

封装SOT-223
品牌HUASHUO(华朔)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2345

HSL1N25概述

是高性能沟槽N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%保证EAS, 具备完整的功能可靠性认证。 具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。

HSL1N25特性

暂无产品特性。

HSL1N25应用领域

暂无应用领域。

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