HSL1N25
IC
SOT-223
可供量大可议
HSL1N25
是高性能沟槽N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%保证EAS, 具备完整的功能可靠性认证。 具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-223
库存
2,345
货期
现货
HSL1N25参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2345 |
HSL1N25概述
是高性能沟槽N沟道MOSFET, 具有极高的单元密度, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%保证EAS, 具备完整的功能可靠性认证。 具有超低栅极电荷、绿色环保器件、出色的Cdv/dt效应抑制、先进的高单元密度沟槽技术等特点。
HSL1N25特性
暂无产品特性。
HSL1N25应用领域
暂无应用领域。
