HSK4N10
IC
SOT-89
可供量大可议
HSK4N10
HSK4N10 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSK4N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-89
库存
200
货期
现货
HSK4N10参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HSK4N10概述
HSK4N10 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSK4N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSK4N10特性
暂无产品特性。
HSK4N10应用领域
暂无应用领域。