HSK1N25
IC
SOT-89
可供量大可议
HSK1N25
具有极高单元密度, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%经过EAS保证, 具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷, 有绿色器件可选, 出色的Cdv/dt效应抑制, 采用先进的高单元密度沟槽技术。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-89
库存
365
货期
现货
HSK1N25参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 365 |
HSK1N25概述
具有极高单元密度, 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求, 100%经过EAS保证, 具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷, 有绿色器件可选, 出色的Cdv/dt效应抑制, 采用先进的高单元密度沟槽技术。
HSK1N25特性
暂无产品特性。
HSK1N25应用领域
暂无应用领域。
