HSK12N02
IC
SOT-89
可供量大可议
HSK12N02
HSK12N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSK12N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-89
库存
340
货期
现货
HSK12N02参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 340 |
HSK12N02概述
HSK12N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSK12N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSK12N02特性
暂无产品特性。
HSK12N02应用领域
暂无应用领域。