HSK10N10
IC
SOT-89
可供量大可议
HSK10N10
是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 并通过全功能可靠性认证。 绿色器件。 超低栅极电荷。 出色的 Cdv/dt 效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
SOT-89
库存
465
货期
现货
HSK10N10参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 465 |
HSK10N10概述
是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 并通过全功能可靠性认证。 绿色器件。 超低栅极电荷。 出色的 Cdv/dt 效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
HSK10N10特性
暂无产品特性。
HSK10N10应用领域
暂无应用领域。