HSK10N06
IC
SOT-89
可供量大可议
HSK10N06
HSK10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSK10N06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量（EAS）测试保证， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-89
库存
2,880
货期
现货
HSK10N06参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2880 |
HSK10N06概述
HSK10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSK10N06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量（EAS）测试保证， 并通过了全功能可靠性认证。
HSK10N06特性
暂无产品特性。
HSK10N06应用领域
暂无应用领域。