HSI1926DLT1E3

这款N沟道增强型场效应管（MOSFET）设计有0.1A的连续排水电流（ID）， 并能承受高达60V的断态电压（VDSS）。 其特征还包括在20V栅源电压（VGS）下的导通电阻（RDSON）为1300毫欧。 该MOSFET适用于低电流需求的应用场景， 如消费电子产品的电池保护电路、便携装置中的负载开关或信号调节等， 能够在小电流环境下提供可靠的性能。