HSH80P10
IC
TO-263
可供量大可议
HSH80P10
HSH80P10采用先进的沟槽MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性， 适用于各种其他应用。 HSH80P10符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证具有雪崩耐量， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
814
货期
现货
HSH80P10参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 814 |
HSH80P10概述
HSH80P10采用先进的沟槽MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性， 适用于各种其他应用。 HSH80P10符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证具有雪崩耐量， 并通过了全功能可靠性认证。
HSH80P10特性
暂无产品特性。
HSH80P10应用领域
暂无应用领域。