HSH40P15
IC
TO-263
可供量大可议
HSH40P15
使用先进的沟槽MOSFET技术， 提供出色的导通电阻和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证EAS， 具备完整功能可靠性认证。 100% EAS保证， 提供绿色器件， 超低栅极电荷， 出色的CdV/dt效应衰减， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
777
货期
现货
HSH40P15参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 777 |
HSH40P15概述
使用先进的沟槽MOSFET技术， 提供出色的导通电阻和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证EAS， 具备完整功能可靠性认证。 100% EAS保证， 提供绿色器件， 超低栅极电荷， 出色的CdV/dt效应衰减， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
HSH40P15特性
暂无产品特性。
HSH40P15应用领域
暂无应用领域。