HSH3129
IC
TO-263
可供量大可议
HSH3129
HSH3129 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH3129 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过 EAS 测试， 具备完整的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
700
货期
现货
HSH3129参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 700 |
HSH3129概述
HSH3129 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH3129 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过 EAS 测试， 具备完整的功能可靠性认证。
HSH3129特性
暂无产品特性。
HSH3129应用领域
暂无应用领域。