HSH30N15A
IC
TO-263
可供量大可议
HSH30N15A
HSH30N15A是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH30N15A符合RoHS标准和绿色产品要求， 经过全面功能可靠性认证， 100%保证具备抗雪崩能力（EAS）。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
266
货期
现货
HSH30N15A参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 266 |
HSH30N15A概述
HSH30N15A是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH30N15A符合RoHS标准和绿色产品要求， 经过全面功能可靠性认证， 100%保证具备抗雪崩能力（EAS）。
HSH30N15A特性
暂无产品特性。
HSH30N15A应用领域
暂无应用领域。