HSH200N02
IC
TO-263
可供量大可议
HSH200N02
HSH200N02是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH200N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
582
货期
现货
HSH200N02参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 582 |
HSH200N02概述
HSH200N02是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH200N02符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）， 并通过了全功能可靠性认证。
HSH200N02特性
暂无产品特性。
HSH200N02应用领域
暂无应用领域。