HSH18N20A
IC
TO-263
可供量大可议
HSH18N20A
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量（EAS）， 具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷。 有绿色器件可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
673
货期
现货
HSH18N20A参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 673 |
HSH18N20A概述
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量（EAS）， 具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷。 有绿色器件可供选择。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
HSH18N20A特性
暂无产品特性。
HSH18N20A应用领域
暂无应用领域。