HSH120P03
IC
TO-263
可供量大可议
HSH120P03
HSH120P03 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH120P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
800
货期
现货
HSH120P03参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 800 |
HSH120P03概述
HSH120P03 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH120P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
HSH120P03特性
暂无产品特性。
HSH120P03应用领域
暂无应用领域。