HSH120N85
IC
TO-263-2L
可供量大可议
HSH120N85
高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 100%保证 EAS， 具备全功能可靠性认证。 100%保证 EAS。 电机驱动。 同步整流。 直流-直流转换器。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
TO-263-2L
库存
8,197
货期
现货
HSH120N85参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8197 |
HSH120N85概述
高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。 符合 RoHS 和绿色产品要求， 100%保证 EAS， 具备全功能可靠性认证。 100%保证 EAS。 电机驱动。 同步整流。 直流-直流转换器。 先进的高单元密度沟槽技术
HSH120N85特性
暂无产品特性。
HSH120N85应用领域
暂无应用领域。