HSH100P06
IC
TO-263
可供量大可议
HSH100P06
HSH100P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH100P06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
1,075
货期
现货
HSH100P06参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1075 |
HSH100P06概述
HSH100P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH100P06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%保证具有抗雪崩能力， 且通过了全功能可靠性认证。
HSH100P06特性
暂无产品特性。
HSH100P06应用领域
暂无应用领域。