HSH047P06
IC
TO-263
可供量大可议
HSH047P06
HSH047P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH047P06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
2,138
货期
现货
HSH047P06参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2138 |
HSH047P06概述
HSH047P06是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH047P06符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试， 并通过了全功能可靠性认证。
HSH047P06特性
暂无产品特性。
HSH047P06应用领域
暂无应用领域。