HSH044N25
IC
TO-263
可供量大可议
HSH044N25
HSH044N25是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH044N25符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量（EAS）测试， 具备完整的可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
813
货期
现货
HSH044N25参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 813 |
HSH044N25概述
HSH044N25是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSH044N25符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过雪崩能量（EAS）测试， 具备完整的可靠性认证。
HSH044N25特性
暂无产品特性。
HSH044N25应用领域
暂无应用领域。