HSH0139
IC
TO-263
可供量大可议
HSH0139
HSH0139采用先进的沟槽MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 HSH0139符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩测试（EAS）， 并经过全面功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-263
库存
878
货期
现货
HSH0139参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 878 |
HSH0139概述
HSH0139采用先进的沟槽MOSFET技术， 具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 HSH0139符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩测试（EAS）， 并经过全面功能可靠性认证。
HSH0139特性
暂无产品特性。
HSH0139应用领域
暂无应用领域。