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HSDD32C18L01-AT
IC

SOD-323

可供量大可议

HSDD32C18L01-AT

本款双向ESD静电保护二极管, 专为单路信号线设计, 工作电压高达18V, 能有效抵御双方向静电放电冲击。 峰值电流IPP为9A, 提供强大保护效能。 紧凑的30皮法电容值, 确保高速数据传输无延迟, 特别适用于需要高速信号完整性和双向防护的便携式电子设备及通信系统, 是提升系统鲁棒性的理想元件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

40

货期

现货

HSDD32C18L01-AT参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

HSDD32C18L01-AT概述

本款双向ESD静电保护二极管, 专为单路信号线设计, 工作电压高达18V, 能有效抵御双方向静电放电冲击。 峰值电流IPP为9A, 提供强大保护效能。 紧凑的30皮法电容值, 确保高速数据传输无延迟, 特别适用于需要高速信号完整性和双向防护的便携式电子设备及通信系统, 是提升系统鲁棒性的理想元件。

HSDD32C18L01-AT特性

暂无产品特性。

HSDD32C18L01-AT应用领域

暂无应用领域。

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