HSDD32C18L01-AT
IC
SOD-323
可供量大可议
HSDD32C18L01-AT
本款双向ESD静电保护二极管, 专为单路信号线设计, 工作电压高达18V, 能有效抵御双方向静电放电冲击。 峰值电流IPP为9A, 提供强大保护效能。 紧凑的30皮法电容值, 确保高速数据传输无延迟, 特别适用于需要高速信号完整性和双向防护的便携式电子设备及通信系统, 是提升系统鲁棒性的理想元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
40
货期
现货
HSDD32C18L01-AT参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HSDD32C18L01-AT概述
本款双向ESD静电保护二极管, 专为单路信号线设计, 工作电压高达18V, 能有效抵御双方向静电放电冲击。 峰值电流IPP为9A, 提供强大保护效能。 紧凑的30皮法电容值, 确保高速数据传输无延迟, 特别适用于需要高速信号完整性和双向防护的便携式电子设备及通信系统, 是提升系统鲁棒性的理想元件。
HSDD32C18L01-AT特性
暂无产品特性。
HSDD32C18L01-AT应用领域
暂无应用领域。
